Справочник транзисторов. PDTD113ET

 

Биполярный транзистор PDTD113ET Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PDTD113ET
   Маркировка: *7R_-7R_p7R_t7R_W7R
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 1 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 33
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для PDTD113ET

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTD113ET Datasheet (PDF)

 6.1. Size:123K  philips
 pdtd113e ser.pdf pdf_icon

PDTD113ET

PDTD113E seriesNPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors;R1 = 1 k, R2 = 1 kRev. 02 16 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General description500 mA NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family.Table 1. Product overviewType number Package PNP complementNXP JEITA JEDECPDTD113EK SOT346 SC-59A TO-236 PDTB113EKPDTD113ES[1] SOT54 SC-43A TO-92 PDT

 6.2. Size:123K  nxp
 pdtd113ek pdtd113es.pdf pdf_icon

PDTD113ET

PDTD113E seriesNPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors;R1 = 1 k, R2 = 1 kRev. 02 16 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General description500 mA NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family.Table 1. Product overviewType number Package PNP complementNXP JEITA JEDECPDTD113EK SOT346 SC-59A TO-236 PDTB113EKPDTD113ES[1] SOT54 SC-43A TO-92 PDT

 7.1. Size:64K  philips
 pdtd113zt.pdf pdf_icon

PDTD113ET

PDTD113ZTNPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor;R1 = 1 k, R2 = 10 kRev. 02 23 March 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN 500 mA Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small Surface-MountedDevice (SMD) plastic package.PNP complement: PDTB113ZT.1.2 Features Built-in bias resistors Reduces component count Simplifies circuit des

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SA609 | TK40C | MJF10012 | KSE210 | PBSS5240X | GES2906R

 

 
Back to Top

 


 
.