PEMB3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PEMB3
Código: Z3
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
Paquete / Cubierta: SOT666
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PEMB3 Datasheet (PDF)
pemb3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D744PEMB3PNP resistor-equipped doubletransistor R1 = 4.7 k, R2 = openPreliminary specification 2001 Sep 14Philips Semiconductors Preliminary specificationPNP resistor-equipped double transistorPEMB3R1 = 4.7 k, R2 = openFEATURES QUICK REFERENCE DATA 300 mW total power dissipationSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Very small 1.6
pemb30 pumb30.pdf
PEMB30; PUMB30PNP/PNP double resistor-equipped transistors;R1 = 2.2 k, R2 = openRev. 02 2 September 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD)plastic packagesTable 1. Product overviewType number Package NPN/PNP NPN/NPNcomplement complementNXP JEITAPEMB30 SOT666
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
