Биполярный транзистор PEMB3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PEMB3
Маркировка: Z3
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT666
PEMB3 Datasheet (PDF)
pemb3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D744PEMB3PNP resistor-equipped doubletransistor R1 = 4.7 k, R2 = openPreliminary specification 2001 Sep 14Philips Semiconductors Preliminary specificationPNP resistor-equipped double transistorPEMB3R1 = 4.7 k, R2 = openFEATURES QUICK REFERENCE DATA 300 mW total power dissipationSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Very small 1.6
pemb30 pumb30.pdf
PEMB30; PUMB30PNP/PNP double resistor-equipped transistors;R1 = 2.2 k, R2 = openRev. 02 2 September 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD)plastic packagesTable 1. Product overviewType number Package NPN/PNP NPN/NPNcomplement complementNXP JEITAPEMB30 SOT666
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
