PEMD4 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PEMD4 📄📄

Código: 23

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SOT666

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PEMD4 datasheet

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMD4; PUMD4 NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 k , R2 = open Product data sheet 2003 Oct 10 Supersedes data of 2002 Jan 14 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/PNP resistor-equipped transistors; PEMD4; PUMD4 R1 = 10 k , R2 = open FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT

0.1. Size:118K philips
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PEMD48; PUMD48 NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 k , R2 = 47 k and R1 = 2.2 k , R2 = 47 k Rev. 05 13 April 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package Package configuration NXP JEITA

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PEMD4 Datasheet. Equivalente