Биполярный транзистор PEMD4 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PEMD4
Маркировка: 23
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT666
PEMD4 Datasheet (PDF)
pemd4 pumd4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMD4; PUMD4NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 k, R2 = openProduct data sheet 2003 Oct 10Supersedes data of 2002 Jan 14NXP Semiconductors Product data sheetNPN/PNP resistor-equipped transistors; PEMD4; PUMD4R1 = 10 k, R2 = openFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT
pemd48 pumd48.pdf
PEMD48; PUMD48NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 k, R2 = 47 k and R1 = 2.2 k, R2 = 47 kRev. 05 13 April 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages.Table 1. Product overviewType number Package Package configurationNXP JEITA
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
