PEMH9 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PEMH9
Código: H9
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SOT666
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar PEMH9
PEMH9 Datasheet (PDF)
pimh9 pumh9 pemh9.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPIMH9; PUMH9; PEMH9NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 k, R2 = 47 kProduct data sheet 2004 Apr 14Supersedes data of 2003 Sep 15 NXP Semiconductors Product data sheetNPN/NPN resistor-equipped transistors; PIMH9; PUMH9; R1 = 10 k, R2 = 47 k PEMH9FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER T
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