Биполярный транзистор PEMH9 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PEMH9
Маркировка: H9
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT666
PEMH9 Datasheet (PDF)
pimh9 pumh9 pemh9.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPIMH9; PUMH9; PEMH9NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 k, R2 = 47 kProduct data sheet 2004 Apr 14Supersedes data of 2003 Sep 15 NXP Semiconductors Product data sheetNPN/NPN resistor-equipped transistors; PIMH9; PUMH9; R1 = 10 k, R2 = 47 k PEMH9FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER T
pimh9 pumh9 pemh9.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPIMH9; PUMH9; PEMH9NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 k, R2 = 47 kProduct data sheet 2004 Apr 14Supersedes data of 2003 Sep 15 NXP Semiconductors Product data sheetNPN/NPN resistor-equipped transistors; PIMH9; PUMH9; R1 = 10 k, R2 = 47 k PEMH9FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER T
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .