PIMT1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PIMT1  📄📄 

Código: M1

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2.2 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: SOT457

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PIMT1 datasheet

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PIMT1

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D302 PIMT1 PNP general purpose double transistor Product data sheet 2001 Oct 22 NXP Semiconductors Product data sheet PNP general purpose double transistor PIMT1 FEATURES PINNING 600 mW total power dissipation PIN DESCRIPTION Low current (max. 100 mA) 1, 4 emitter TR1; TR2 Low voltage (max. 40 V) 2, 5 base TR1;

Otros transistores... PHE13005, PHE13005X, PHE13007, PHE13009, PIMD2, PIMD3, PIMH9, PIMN31, BD335, PMBS3904, PMBS3906, PMBT2222, PMBT2222A, PMBT2369, PMBT2907, PMBT2907A, PMBT3906