PIMT1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PIMT1  📄📄 

Маркировка: M1

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT457

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PIMT1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PIMT1 даташит

 ..1. Size:98K  nxp
 pimt1.pdf pdf_icon

PIMT1

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D302 PIMT1 PNP general purpose double transistor Product data sheet 2001 Oct 22 NXP Semiconductors Product data sheet PNP general purpose double transistor PIMT1 FEATURES PINNING 600 mW total power dissipation PIN DESCRIPTION Low current (max. 100 mA) 1, 4 emitter TR1; TR2 Low voltage (max. 40 V) 2, 5 base TR1;

Другие транзисторы: PHE13005, PHE13005X, PHE13007, PHE13009, PIMD2, PIMD3, PIMH9, PIMN31, BD335, PMBS3904, PMBS3906, PMBT2222, PMBT2222A, PMBT2369, PMBT2907, PMBT2907A, PMBT3906