PUMH4 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PUMH4  📄📄 

Código: H*4

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SOT363

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PUMH4 datasheet

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PUMH4

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ndbook, halfpage MBD128 PUMH4 NPN resistor-equipped double transistor Product specification 1999 May 20 Supersedes data of 1998 Aug 10 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped double transistor PUMH4 FEATURES Transistors with built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) 6 5 4 handbook, halfpage No mutual interfere

 ..2. Size:240K  nxp
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PUMH4

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMH4; PUMH4 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 k , R2 = open Product data sheet 2004 Apr 14 Supersedes data of 2003 Oct 02 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH4; PUMH4 R1 = 10 k , R2 = open FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT

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