PUMH4 Todos los transistores

 

PUMH4 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PUMH4
   Código: H*4
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT363
 

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PUMH4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:53K  philips
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PUMH4

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETndbook, halfpageMBD128PUMH4NPN resistor-equipped doubletransistorProduct specification 1999 May 20Supersedes data of 1998 Aug 10Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped double transistor PUMH4FEATURES Transistors with built-in bias resistor R1(typ. 10 k)6 5 4handbook, halfpage No mutual interfere

 ..2. Size:240K  nxp
 pemh4 pumh4.pdf pdf_icon

PUMH4

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMH4; PUMH4NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 k, R2 = openProduct data sheet 2004 Apr 14Supersedes data of 2003 Oct 02NXP Semiconductors Product data sheetNPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH4; PUMH4R1 = 10 k, R2 = openFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT

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History: BC818K-16 | KT698G | KTD1937

 

 
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