2STC2510 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2STC2510 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 125 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 20 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: TO3P
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de 2STC2510
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
2STC2510 datasheet
2stc2510.pdf
2STC2510 High power NPN epitaxial planar bipolar transistor Features High breakdown voltage VCEO = 100 V Complementary to 2STA2510 Typical ft = 20 MHz Fully characterized at 125 oC 3 2 Application 1 TO-3P Audio power amplifier Description Figure 1. Internal schematic diagram The device is a NPN transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar transistor for
Otros transistores... 2ST5949, 2STA1694, 2STA1695, 2STA1943, 2STA1962, 2STA2120, 2STA2121, 2STA2510, 2SC2240, 2STC4467, 2STC4468, 2STC5200, 2STC5242, 2STC5949, 2STD1665, 2STF1340, 2STF1360
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: FHTA8050O-ME | 2N3767SMD | 2N3766SMD05
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b

