STBV32 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STBV32
Código: BV32
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 700 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 9 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 5
Encapsulados: TO92
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STBV32 datasheet
stbv32.pdf
STBV32 High voltage fast-switching NPN power transistor Features High voltage capability Low spread of dynamic parameters Minimum lot-to-lot spread for reliable operation Very high switching speed Applications Compact fluorescent lamps (CFLS) TO-92 TO-92AP SMPS for battery charger Description Figure 1. Internal schematic diagram The device is manufactured us
stbv32a3.pdf
Spec. No. C827A3 Issued Date 2007.09.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.05.08 Page No. 1/6 High Voltage NPN Power Transistor STBV32A3 Features High breakdown voltage, V =450V (min.) CEO High collector current, I =1.5A (DC) C(max) Pb-free lead plating package Symbol Outline STBV32A3 TO-92 B Base C Collector E Emitter E C B
Otros transistores... ST600K , ST631K , ST83003 , ST8812FX , ST901T , ST93003 , STB13005 , STB13007DT4 , NJW0281G , STBV42 , STBV45 , STD13003 , STD1802 , STD1802T4A , STD1805 , STD2805 , STD616A .
History: KTC3199 | KTC3198
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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