STBV32 Todos los transistores

 

STBV32 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STBV32
   Código: BV32
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 700 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 9 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 5
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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STBV32 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  st
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STBV32

STBV32High voltage fast-switching NPN power transistorFeatures High voltage capability Low spread of dynamic parameters Minimum lot-to-lot spread for reliable operation Very high switching speedApplications Compact fluorescent lamps (CFLS)TO-92 TO-92AP SMPS for battery chargerDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThe device is manufactured us

 0.1. Size:225K  cystek
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STBV32

Spec. No. : C827A3 Issued Date : 2007.09.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.05.08 Page No. : 1/6 High Voltage NPN Power Transistor STBV32A3Features High breakdown voltage, V =450V (min.) CEO High collector current, I =1.5A (DC) C(max) Pb-free lead plating package Symbol Outline STBV32A3 TO-92 BBase CCollector EEmitter E C B

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