STBV32. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STBV32

Маркировка: BV32

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для STBV32

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

STBV32 даташит

 ..1. Size:237K  st
 stbv32.pdf pdf_icon

STBV32

STBV32 High voltage fast-switching NPN power transistor Features High voltage capability Low spread of dynamic parameters Minimum lot-to-lot spread for reliable operation Very high switching speed Applications Compact fluorescent lamps (CFLS) TO-92 TO-92AP SMPS for battery charger Description Figure 1. Internal schematic diagram The device is manufactured us

 0.1. Size:225K  cystek
 stbv32a3.pdf pdf_icon

STBV32

Spec. No. C827A3 Issued Date 2007.09.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.05.08 Page No. 1/6 High Voltage NPN Power Transistor STBV32A3 Features High breakdown voltage, V =450V (min.) CEO High collector current, I =1.5A (DC) C(max) Pb-free lead plating package Symbol Outline STBV32A3 TO-92 B Base C Collector E Emitter E C B

Другие транзисторы: ST600K, ST631K, ST83003, ST8812FX, ST901T, ST93003, STB13005, STB13007DT4, NJW0281G, STBV42, STBV45, STD13003, STD1802, STD1802T4A, STD1805, STD2805, STD616A