STX112 Todos los transistores

 

STX112 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STX112

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 1000

Encapsulados: TO92

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STX112 datasheet

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STX112

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STX112

STX112 SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR MONOLITHIC DARLINGTON CONFIGURATION INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE APPLICATIONS LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL EQUIPMENT DESCRIPTION The device is a silicon Epitaxial-Base NPN transistor in monolithic Darlington configuration TO-92 mounted in TO-92 plastic package. It is intented for use in linear and s

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History: 2SC1376H

 

 

 


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