STX112 Todos los transistores

 

STX112 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STX112
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
   Paquete / Cubierta: TO92
     - Selección de transistores por parámetros

 

STX112 Datasheet (PDF)

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STX112

STX112STX117Complementary power Darlington transistors .Features Good hFE linearity High fT frequency Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diodeApplicationTO-92 AP Linear and switching industrial equipmentDescriptionThe devices are manufactured in planar Figure 1. Internal schematic diagramtechnology with

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STX112

STX112SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATION INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTER DIODE APPLICATIONS LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALEQUIPMENT DESCRIPTION The device is a silicon Epitaxial-Base NPNtransistor in monolithic Darlington configurationTO-92mounted in TO-92 plastic package. It is intentedfor use in linear and s

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History: FN4L3M | 2SD1906Q | BP30-12 | KRA763F | BC213LC | MP2062 | 2SC2483

 

 
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