STX112 Todos los transistores

 

STX112 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STX112

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000

Empaquetado / Estuche: TO92

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STX112 Datasheet (PDF)

0.1. stx112.pdf Size:151K _st

STX112
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STX112SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATION INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTER DIODE APPLICATIONS LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALEQUIPMENT DESCRIPTION The device is a silicon Epitaxial-Base NPNtransistor in monolithic Darlington configurationTO-92mounted in TO-92 plastic package. It is intentedfor use in linear and s

0.2. stx112 stx117.pdf Size:338K _st

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STX112STX117Complementary power Darlington transistors .Features Good hFE linearity High fT frequency Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diodeApplicationTO-92 AP Linear and switching industrial equipmentDescriptionThe devices are manufactured in planar Figure 1. Internal schematic diagramtechnology with

 

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