STX112 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STX112
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 1000
Encapsulados: TO92
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STX112 datasheet
stx112.pdf
STX112 SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR MONOLITHIC DARLINGTON CONFIGURATION INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE APPLICATIONS LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL EQUIPMENT DESCRIPTION The device is a silicon Epitaxial-Base NPN transistor in monolithic Darlington configuration TO-92 mounted in TO-92 plastic package. It is intented for use in linear and s
Otros transistores... STSA1805 , STSA851 , STT13005 , STT818B , STW13009 , STW3040 , STWH13009 , STX0560 , TIP42C , STX13003 , STX13005 , STX616 , STX715 , STX724 , STX790A , STX817A , STX826 .
History: 2SC1376H
History: 2SC1376H
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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