STX112 Todos los transistores

 

STX112 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STX112

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000

Empaquetado / Estuche: TO92

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar STX112

 

STX112 Datasheet (PDF)

1.1. stx112.pdf Size:151K _st

STX112
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STX112 ® SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR MONOLITHIC DARLINGTON CONFIGURATION INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE APPLICATIONS LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL EQUIPMENT DESCRIPTION The device is a silicon Epitaxial-Base NPN transistor in monolithic Darlington configuration TO-92 mounted in TO-92 plastic package. It is intented for use in linear and s

1.2. stx112 stx117.pdf Size:338K _st

STX112
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STX112 STX117 Complementary power Darlington transistors . Features ■ Good hFE linearity ■ High fT frequency ■ Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode Application TO-92 AP ■ Linear and switching industrial equipment Description The devices are manufactured in planar Figure 1. Internal schematic diagram technology with

 

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