Справочник транзисторов. STX112

 

Биполярный транзистор STX112 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: STX112
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для STX112

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

STX112 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:338K  st
 stx112 stx117.pdf pdf_icon

STX112

STX112STX117Complementary power Darlington transistors .Features Good hFE linearity High fT frequency Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diodeApplicationTO-92 AP Linear and switching industrial equipmentDescriptionThe devices are manufactured in planar Figure 1. Internal schematic diagramtechnology with

 ..2. Size:151K  st
 stx112.pdf pdf_icon

STX112

STX112SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATION INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTER DIODE APPLICATIONS LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALEQUIPMENT DESCRIPTION The device is a silicon Epitaxial-Base NPNtransistor in monolithic Darlington configurationTO-92mounted in TO-92 plastic package. It is intentedfor use in linear and s

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: CIL391 | 2SC4081UB

 

 
Back to Top

 


 
.