BUL62B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUL62B
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
Tensión colector-base (Vcb): 800 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 40 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BUL62B
BUL62B Datasheet (PDF)
bul62b.pdf
BUL62BSEMELABADVANCEDMECHANICAL DATADISTRIBUTED BASE DESIGNDimensions in mm (inches)HIGH VOLTAGE2.18 (0.086)2.44 (0.096)6.40 (0.252) HIGH SPEED NPN6.78 (0.267)5.21 (0.205) 0.84 (0.033)SILICON POWER TRANSISTOR5.46 (0.215) 0.94 (0.037)1.09 (0.043)1.30 (0.051)Designed for use in electronic ballast applications5.97 (0.235)6.22 (0.245)1 2 3 SEMEFAB DESI
bul62a.pdf
BUL62ASEMELABADVANCEDMECHANICAL DATADISTRIBUTED BASE DESIGNDimensions in mm (inches)HIGH VOLTAGE2.18 (0.086)2.44 (0.096)6.40 (0.252) HIGH SPEED NPN6.78 (0.267)5.21 (0.205) 0.84 (0.033)SILICON POWER TRANSISTOR5.46 (0.215) 0.94 (0.037)1.09 (0.043)1.30 (0.051)Designed for use in electronic ballast applications5.97 (0.235)6.22 (0.245)1 2 3 SEMEFAB DESI
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