BUL62B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUL62B

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W

Tensión colector-base (Vcb): 800 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 20 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 40 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO251

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BUL62B datasheet

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BUL62B

BUL62B SEME LAB ADVANCED MECHANICAL DATA DISTRIBUTED BASE DESIGN Dimensions in mm (inches) HIGH VOLTAGE 2.18 (0.086) 2.44 (0.096) 6.40 (0.252) HIGH SPEED NPN 6.78 (0.267) 5.21 (0.205) 0.84 (0.033) SILICON POWER TRANSISTOR 5.46 (0.215) 0.94 (0.037) 1.09 (0.043) 1.30 (0.051) Designed for use in electronic ballast applications 5.97 (0.235) 6.22 (0.245) 1 2 3 SEMEFAB DESI

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BUL62B

BUL62A SEME LAB ADVANCED MECHANICAL DATA DISTRIBUTED BASE DESIGN Dimensions in mm (inches) HIGH VOLTAGE 2.18 (0.086) 2.44 (0.096) 6.40 (0.252) HIGH SPEED NPN 6.78 (0.267) 5.21 (0.205) 0.84 (0.033) SILICON POWER TRANSISTOR 5.46 (0.215) 0.94 (0.037) 1.09 (0.043) 1.30 (0.051) Designed for use in electronic ballast applications 5.97 (0.235) 6.22 (0.245) 1 2 3 SEMEFAB DESI

Otros transistores... 2SA2154, 2SA2154CT, 2SA2154MFV, 2SA2195, 2SA2214, 2SA2215, 2SA562TM, 2SC1815L, BC639, 2SC4666, 2SC4738F, 2SC4738FT, 2SC5232, 2SC5233, 2SC5376, 2SC5376CT, 2SC5376F