Биполярный транзистор BUL62B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUL62B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO251
BUL62B Datasheet (PDF)
bul62b.pdf
BUL62BSEMELABADVANCEDMECHANICAL DATADISTRIBUTED BASE DESIGNDimensions in mm (inches)HIGH VOLTAGE2.18 (0.086)2.44 (0.096)6.40 (0.252) HIGH SPEED NPN6.78 (0.267)5.21 (0.205) 0.84 (0.033)SILICON POWER TRANSISTOR5.46 (0.215) 0.94 (0.037)1.09 (0.043)1.30 (0.051)Designed for use in electronic ballast applications5.97 (0.235)6.22 (0.245)1 2 3 SEMEFAB DESI
bul62a.pdf
BUL62ASEMELABADVANCEDMECHANICAL DATADISTRIBUTED BASE DESIGNDimensions in mm (inches)HIGH VOLTAGE2.18 (0.086)2.44 (0.096)6.40 (0.252) HIGH SPEED NPN6.78 (0.267)5.21 (0.205) 0.84 (0.033)SILICON POWER TRANSISTOR5.46 (0.215) 0.94 (0.037)1.09 (0.043)1.30 (0.051)Designed for use in electronic ballast applications5.97 (0.235)6.22 (0.245)1 2 3 SEMEFAB DESI
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
