2SC752(G)TM Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC752(G)TM

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO92

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2SC752(G)TM datasheet

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2SC752(G)TM

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2SC752(G)TM

2SC752(G)TM TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC752(G)TM Ultra High Speed Switching Applications Unit mm Computer, Counter Applications High transition frequency fT = 400 MHz (typ.) Low saturation voltage V = 0.3 V (max) CE (sat) High speed switching time t = 15 ns (typ.) stg Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics

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2SC752(G)TM

2SC752TM(BR3DG752TMK) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features High transition frequency, low saturation voltage, high speed switching time. / Applications Ultra high speed switchi

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