2SC752(G)TM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC752(G)TM

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2SC752(G)TM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC752(G)TM даташит

 8.1. Size:68K  toshiba
 2sc752.pdf pdf_icon

2SC752(G)TM

 8.2. Size:373K  toshiba
 2sc752tm.pdf pdf_icon

2SC752(G)TM

2SC752(G)TM TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC752(G)TM Ultra High Speed Switching Applications Unit mm Computer, Counter Applications High transition frequency fT = 400 MHz (typ.) Low saturation voltage V = 0.3 V (max) CE (sat) High speed switching time t = 15 ns (typ.) stg Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics

 8.3. Size:456K  blue-rocket-elect
 2sc752tm.pdf pdf_icon

2SC752(G)TM

2SC752TM(BR3DG752TMK) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features High transition frequency, low saturation voltage, high speed switching time. / Applications Ultra high speed switchi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC6026CT, 2SC6026MFV, 2SC6067, 2SC6100, 2SC6132, 2SC6133, 2SC6134, 2SC6135, 2SC5200, TTA1586FU, TTC4116FU, 2SA1873, 2SC4944, HN1A01F, HN1A01FE, HN1A01FU, HN1A02F