HN1A26FS Todos los transistores

 

HN1A26FS . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HN1A26FS
   Código: 8F_8H
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1.6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: FS6
 

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HN1A26FS Datasheet (PDF)

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HN1A26FS

HN1A26FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN1A26FS Frequency General-Purpose Amplifier Applications Unit: mm Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin) 1.00.05package. 0.80.05 0.10.050.10.05 High voltage: VCEO = -50 V High current: IC = -100 mA (max) 1 6 High hFE : hFE = 120 to 400 Excellent

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