Справочник транзисторов. HN1A26FS

 

Биполярный транзистор HN1A26FS Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HN1A26FS
   Маркировка: 8F_8H
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: FS6
 

 Аналог (замена) для HN1A26FS

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN1A26FS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:149K  toshiba
 hn1a26fs.pdf pdf_icon

HN1A26FS

HN1A26FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN1A26FS Frequency General-Purpose Amplifier Applications Unit: mm Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin) 1.00.05package. 0.80.05 0.10.050.10.05 High voltage: VCEO = -50 V High current: IC = -100 mA (max) 1 6 High hFE : hFE = 120 to 400 Excellent

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top

 


 
.