HN1A26FS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HN1A26FS

Маркировка: 8F_8H

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: FS6

 Аналоги (замена) для HN1A26FS

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN1A26FS даташит

 ..1. Size:149K  toshiba
 hn1a26fs.pdf pdf_icon

HN1A26FS

HN1A26FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN1A26FS Frequency General-Purpose Amplifier Applications Unit mm Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin) 1.0 0.05 package. 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 High voltage VCEO = -50 V High current IC = -100 mA (max) 1 6 High hFE hFE = 120 to 400 Excellent

Другие транзисторы: TTC4116FU, 2SA1873, 2SC4944, HN1A01F, HN1A01FE, HN1A01FU, HN1A02F, HN1A07F, BC548, HN1B01F, HN1B01FU, HN1B04F, HN1B04FE, HN1B04FU, HN1B26FS, HN1C01F, HN1C01FE