HN1B26FS Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HN1B26FS

Código: TF_TH

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 60 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: FS6

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HN1B26FS datasheet

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HN1B26FS

HN1B26FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN1B26FS General-Purpose Amplifier Applications Unit mm 1.0 0.05 Q1 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 High voltage and high current VCEO = 50 V, IC = 100 mA (max) Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) 1 6 High hFE hFE = 120 400 2 5 4 3 Q2 High voltage an

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