HN1B26FS Todos los transistores

 

HN1B26FS . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HN1B26FS
   Código: TF_TH
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: FS6
 

 Búsqueda de reemplazo de HN1B26FS

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HN1B26FS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  toshiba
 hn1b26fs.pdf pdf_icon

HN1B26FS

HN1B26FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN1B26FS General-Purpose Amplifier Applications Unit: mm1.00.05Q1 0.80.05 0.10.050.10.05 High voltage and high current : VCEO = 50 V, IC = 100 mA (max) Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) 1 6 High hFE : hFE = 120~400 2 543Q2 High voltage an

Otros transistores... HN1A02F , HN1A07F , HN1A26FS , HN1B01F , HN1B01FU , HN1B04F , HN1B04FE , HN1B04FU , 2SA1943 , HN1C01F , HN1C01FE , HN1C01FU , HN1C03F , HN1C03FU , HN1C05FE , HN1C07F , HN1C26FS .

History: 2N1889

 

 
Back to Top

 


 
.