HN1B26FS Todos los transistores

 

HN1B26FS . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HN1B26FS
   Código: TF_TH
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: FS6
 

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HN1B26FS Datasheet (PDF)

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HN1B26FS

HN1B26FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN1B26FS General-Purpose Amplifier Applications Unit: mm1.00.05Q1 0.80.05 0.10.050.10.05 High voltage and high current : VCEO = 50 V, IC = 100 mA (max) Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) 1 6 High hFE : hFE = 120~400 2 543Q2 High voltage an

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 2N3924 | KT6114E | TD648

 

 
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