Справочник транзисторов. HN1B26FS

 

Биполярный транзистор HN1B26FS Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HN1B26FS
   Маркировка: TF_TH
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: FS6
 

 Аналог (замена) для HN1B26FS

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN1B26FS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  toshiba
 hn1b26fs.pdf pdf_icon

HN1B26FS

HN1B26FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN1B26FS General-Purpose Amplifier Applications Unit: mm1.00.05Q1 0.80.05 0.10.050.10.05 High voltage and high current : VCEO = 50 V, IC = 100 mA (max) Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) 1 6 High hFE : hFE = 120~400 2 543Q2 High voltage an

Другие транзисторы... HN1A02F , HN1A07F , HN1A26FS , HN1B01F , HN1B01FU , HN1B04F , HN1B04FE , HN1B04FU , 2SA1943 , HN1C01F , HN1C01FE , HN1C01FU , HN1C03F , HN1C03FU , HN1C05FE , HN1C07F , HN1C26FS .

 

 
Back to Top

 


 
.