HN1B26FS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HN1B26FS

Маркировка: TF_TH

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: FS6

 Аналоги (замена) для HN1B26FS

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN1B26FS даташит

 ..1. Size:172K  toshiba
 hn1b26fs.pdf pdf_icon

HN1B26FS

HN1B26FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN1B26FS General-Purpose Amplifier Applications Unit mm 1.0 0.05 Q1 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 High voltage and high current VCEO = 50 V, IC = 100 mA (max) Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) 1 6 High hFE hFE = 120 400 2 5 4 3 Q2 High voltage an

Другие транзисторы: HN1A02F, HN1A07F, HN1A26FS, HN1B01F, HN1B01FU, HN1B04F, HN1B04FE, HN1B04FU, TIP122, HN1C01F, HN1C01FE, HN1C01FU, HN1C03F, HN1C03FU, HN1C05FE, HN1C07F, HN1C26FS