HN1C26FS Todos los transistores

 

HN1C26FS . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HN1C26FS
   Código: 7F_7H
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.95 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: FS6
 

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HN1C26FS Datasheet (PDF)

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HN1C26FS

HN1C26FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN1C26FS Frequency General-Purpose Amplifier Applications Unit: mm Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin) package. 1.00.05 High voltage : VCEO = 50 V 0.80.05 0.10.050.10.05 High current : IC = 100 mA (max) High hFE : hFE = 120 to 400 1 6 Excellent

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History: 2SC3647S-TD-E | BC848C | BCY14 | 2SD488

 

 
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