HN1C26FS Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HN1C26FS

Código: 7F_7H

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 60 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.95 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: FS6

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HN1C26FS datasheet

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HN1C26FS

HN1C26FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN1C26FS Frequency General-Purpose Amplifier Applications Unit mm Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin) package. 1.0 0.05 High voltage VCEO = 50 V 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 High current IC = 100 mA (max) High hFE hFE = 120 to 400 1 6 Excellent

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