Справочник транзисторов. HN1C26FS

 

Биполярный транзистор HN1C26FS Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HN1C26FS
   Маркировка: 7F_7H
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.95 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: FS6
 

 Аналог (замена) для HN1C26FS

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN1C26FS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  toshiba
 hn1c26fs.pdf pdf_icon

HN1C26FS

HN1C26FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN1C26FS Frequency General-Purpose Amplifier Applications Unit: mm Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin) package. 1.00.05 High voltage : VCEO = 50 V 0.80.05 0.10.050.10.05 High current : IC = 100 mA (max) High hFE : hFE = 120 to 400 1 6 Excellent

Другие транзисторы... HN1B26FS , HN1C01F , HN1C01FE , HN1C01FU , HN1C03F , HN1C03FU , HN1C05FE , HN1C07F , BC548 , HN2A01FE , HN2A01FU , HN2A26FS , HN2C01FE , HN2C01FU , HN2C26FS , HN3A51F , HN3A56F .

 

 
Back to Top

 


 
.