HN1C26FS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HN1C26FS

Маркировка: 7F_7H

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.95 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: FS6

 Аналоги (замена) для HN1C26FS

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN1C26FS даташит

 ..1. Size:145K  toshiba
 hn1c26fs.pdf pdf_icon

HN1C26FS

HN1C26FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN1C26FS Frequency General-Purpose Amplifier Applications Unit mm Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin) package. 1.0 0.05 High voltage VCEO = 50 V 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 High current IC = 100 mA (max) High hFE hFE = 120 to 400 1 6 Excellent

Другие транзисторы: HN1B26FS, HN1C01F, HN1C01FE, HN1C01FU, HN1C03F, HN1C03FU, HN1C05FE, HN1C07F, 13009, HN2A01FE, HN2A01FU, HN2A26FS, HN2C01FE, HN2C01FU, HN2C26FS, HN3A51F, HN3A56F