HN2A01FE Todos los transistores

 

HN2A01FE . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HN2A01FE
   Código: M1G_M1Y
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: ES6
     - Selección de transistores por parámetros

 

HN2A01FE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  toshiba
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HN2A01FE

HN2A01FE TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN2A01FE Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current : VCEO = -50V, IC = -150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = -0.1mA) / (IC = -2mA)= 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q

 7.1. Size:242K  toshiba
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HN2A01FE

HN2A01FU TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN2A01FU Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current : VCEO = -50V, IC = -150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = -0.1mA) / (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (

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