HN2A01FE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HN2A01FE

Маркировка: M1G_M1Y

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: ES6

 Аналоги (замена) для HN2A01FE

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN2A01FE даташит

 ..1. Size:184K  toshiba
 hn2a01fe.pdf pdf_icon

HN2A01FE

HN2A01FE TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN2A01FE Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current VCEO = -50V, IC = -150mA (max) High hFE hFE = 120 400 Excellent hFE linearity hFE (IC = -0.1mA) / (IC = -2mA)= 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q

 7.1. Size:242K  toshiba
 hn2a01fu.pdf pdf_icon

HN2A01FE

HN2A01FU TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN2A01FU Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current VCEO = -50V, IC = -150mA (max) High hFE hFE = 120 400 Excellent hFE linearity hFE (IC = -0.1mA) / (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (

Другие транзисторы: HN1C01F, HN1C01FE, HN1C01FU, HN1C03F, HN1C03FU, HN1C05FE, HN1C07F, HN1C26FS, 2N3906, HN2A01FU, HN2A26FS, HN2C01FE, HN2C01FU, HN2C26FS, HN3A51F, HN3A56F, HN3B01F