HN2A01FU Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HN2A01FU

Código: M1G_M1Y

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: US6

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HN2A01FU datasheet

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HN2A01FU

HN2A01FU TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN2A01FU Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current VCEO = -50V, IC = -150mA (max) High hFE hFE = 120 400 Excellent hFE linearity hFE (IC = -0.1mA) / (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (

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HN2A01FU

HN2A01FE TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN2A01FE Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current VCEO = -50V, IC = -150mA (max) High hFE hFE = 120 400 Excellent hFE linearity hFE (IC = -0.1mA) / (IC = -2mA)= 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q

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