Справочник транзисторов. HN2A01FU

 

Биполярный транзистор HN2A01FU Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HN2A01FU
   Маркировка: M1G_M1Y
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: US6
 

 Аналог (замена) для HN2A01FU

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN2A01FU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  toshiba
 hn2a01fu.pdf pdf_icon

HN2A01FU

HN2A01FU TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN2A01FU Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current : VCEO = -50V, IC = -150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = -0.1mA) / (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (

 7.1. Size:184K  toshiba
 hn2a01fe.pdf pdf_icon

HN2A01FU

HN2A01FE TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN2A01FE Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current : VCEO = -50V, IC = -150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = -0.1mA) / (IC = -2mA)= 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q

Другие транзисторы... HN1C01FE , HN1C01FU , HN1C03F , HN1C03FU , HN1C05FE , HN1C07F , HN1C26FS , HN2A01FE , BC557 , HN2A26FS , HN2C01FE , HN2C01FU , HN2C26FS , HN3A51F , HN3A56F , HN3B01F , HN3B02FU .

History: MQ5139 | STC4073D | 2SC765

 

 
Back to Top

 


 
.