Биполярный транзистор HN2A01FU - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HN2A01FU
Маркировка: M1G_M1Y
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: US6
HN2A01FU Datasheet (PDF)
hn2a01fu.pdf
HN2A01FU TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN2A01FU Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current : VCEO = -50V, IC = -150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = -0.1mA) / (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (
hn2a01fe.pdf
HN2A01FE TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN2A01FE Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current : VCEO = -50V, IC = -150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = -0.1mA) / (IC = -2mA)= 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
