HN2C26FS Todos los transistores

 

HN2C26FS . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HN2C26FS
   Código: NF_NH
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.95 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: FS6
 

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HN2C26FS Datasheet (PDF)

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HN2C26FS

HN2C26FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN2C26FS Frequency General-Purpose Amplifier Applications Unit: mm Two devices are incorporated into a fine-pitch, Small-Mold (6-pin) 1.00.05package 0.80.05 0.10.050.10.05 High voltage : VCEO = 50 V High current : IC = 100 mA (max) High hFE : hFE = 120 to 400 1 6 Excellent hFE

Otros transistores... HN1C05FE , HN1C07F , HN1C26FS , HN2A01FE , HN2A01FU , HN2A26FS , HN2C01FE , HN2C01FU , S8050 , HN3A51F , HN3A56F , HN3B01F , HN3B02FU , HN3C51F , HN3C56FU , HN3C61FU , HN3C67FE .

History: 2SC1448 | 2SC5200T7TL | MSA1162 | KSH30CI | KSA928A | FN1L4M | DTN9001

 

 
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