HN2C26FS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HN2C26FS

Маркировка: NF_NH

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.95 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: FS6

 Аналоги (замена) для HN2C26FS

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN2C26FS даташит

 ..1. Size:145K  toshiba
 hn2c26fs.pdf pdf_icon

HN2C26FS

HN2C26FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN2C26FS Frequency General-Purpose Amplifier Applications Unit mm Two devices are incorporated into a fine-pitch, Small-Mold (6-pin) 1.0 0.05 package 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 High voltage VCEO = 50 V High current IC = 100 mA (max) High hFE hFE = 120 to 400 1 6 Excellent hFE

Другие транзисторы: HN1C05FE, HN1C07F, HN1C26FS, HN2A01FE, HN2A01FU, HN2A26FS, HN2C01FE, HN2C01FU, 13003, HN3A51F, HN3A56F, HN3B01F, HN3B02FU, HN3C51F, HN3C56FU, HN3C61FU, HN3C67FE