HN3A51F Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HN3A51F

Código: 48

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SM6

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HN3A51F datasheet

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HN3A51F

HN3A51F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN3A51F Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications High voltage VCEO = -120V High hFE hFE = 200 700 Excellent hFE linearity hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Low noise NF = 1dB(typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Sy

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HN3A51F

HN3A56F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN3A56F Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current VCEO =-50V, IC = -150mA (max) High hFE hFE = 70 400 Excellent hFE linearity hFE (IC = -0.1mA) / (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common)

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