HN3A51F Todos los transistores

 

HN3A51F . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HN3A51F
   Código: 48
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SM6
 

 Búsqueda de reemplazo de HN3A51F

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HN3A51F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:227K  toshiba
 hn3a51f.pdf pdf_icon

HN3A51F

HN3A51F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN3A51F Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications High voltage : VCEO = -120V High hFE : hFE = 200~700 Excellent hFE linearity : hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Low noise : NF = 1dB(typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Sy

 9.1. Size:154K  toshiba
 hn3a56f.pdf pdf_icon

HN3A51F

HN3A56F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN3A56F Unit: mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current : VCEO =-50V, IC = -150mA (max) High hFE : hFE = 70~400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = -0.1mA) / (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common)

Otros transistores... HN1C07F , HN1C26FS , HN2A01FE , HN2A01FU , HN2A26FS , HN2C01FE , HN2C01FU , HN2C26FS , A733 , HN3A56F , HN3B01F , HN3B02FU , HN3C51F , HN3C56FU , HN3C61FU , HN3C67FE , HN4A06J .

History: NB221H | CXT3150

 

 
Back to Top

 


 
.