HN3A51F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HN3A51F

Маркировка: 48

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SM6

 Аналоги (замена) для HN3A51F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN3A51F даташит

 ..1. Size:227K  toshiba
 hn3a51f.pdf pdf_icon

HN3A51F

HN3A51F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN3A51F Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications High voltage VCEO = -120V High hFE hFE = 200 700 Excellent hFE linearity hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Low noise NF = 1dB(typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Sy

 9.1. Size:154K  toshiba
 hn3a56f.pdf pdf_icon

HN3A51F

HN3A56F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN3A56F Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current VCEO =-50V, IC = -150mA (max) High hFE hFE = 70 400 Excellent hFE linearity hFE (IC = -0.1mA) / (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common)

Другие транзисторы: HN1C07F, HN1C26FS, HN2A01FE, HN2A01FU, HN2A26FS, HN2C01FE, HN2C01FU, HN2C26FS, 2SD1047, HN3A56F, HN3B01F, HN3B02FU, HN3C51F, HN3C56FU, HN3C61FU, HN3C67FE, HN4A06J