Биполярный транзистор HN3A51F - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HN3A51F
Маркировка: 48
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SM6
HN3A51F Datasheet (PDF)
hn3a51f.pdf
HN3A51F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN3A51F Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications High voltage : VCEO = -120V High hFE : hFE = 200~700 Excellent hFE linearity : hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Low noise : NF = 1dB(typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Sy
hn3a56f.pdf
HN3A56F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN3A56F Unit: mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current : VCEO =-50V, IC = -150mA (max) High hFE : hFE = 70~400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = -0.1mA) / (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common)
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050