Справочник транзисторов. HN3A51F

 

Биполярный транзистор HN3A51F Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HN3A51F
   Маркировка: 48
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SM6
 

 Аналог (замена) для HN3A51F

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN3A51F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:227K  toshiba
 hn3a51f.pdf pdf_icon

HN3A51F

HN3A51F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN3A51F Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications High voltage : VCEO = -120V High hFE : hFE = 200~700 Excellent hFE linearity : hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Low noise : NF = 1dB(typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Sy

 9.1. Size:154K  toshiba
 hn3a56f.pdf pdf_icon

HN3A51F

HN3A56F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN3A56F Unit: mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current : VCEO =-50V, IC = -150mA (max) High hFE : hFE = 70~400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = -0.1mA) / (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common)

Другие транзисторы... HN1C07F , HN1C26FS , HN2A01FE , HN2A01FU , HN2A26FS , HN2C01FE , HN2C01FU , HN2C26FS , A733 , HN3A56F , HN3B01F , HN3B02FU , HN3C51F , HN3C56FU , HN3C61FU , HN3C67FE , HN4A06J .

History: HN3C51F | DT600-500 | MA8002 | NB221H | CXT3150

 

 
Back to Top

 


 
.