HN3B02FU Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HN3B02FU

Código: 5B

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 120 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: US6

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HN3B02FU datasheet

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HN3B02FU

HN3B02FU TENTATIVE TOSHIBA Transistor Silicon PNP NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN3B02FU Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit mm Q1 High voltage VCEO = -50V High current I = -150mA (max) C High h h = 120 400 FE FE Excellent h linearity h (I = -0.1mA) / (I = -2mA) = 0.95 FE FE C C (typ.) Q2 High voltage V = 60V CEO Hi

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HN3B02FU

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