HN3B02FU Todos los transistores

 

HN3B02FU . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HN3B02FU
   Código: 5B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: US6
 

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HN3B02FU Datasheet (PDF)

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HN3B02FU

HN3B02FU TENTATIVE TOSHIBA Transistor Silicon PNPNPN Epitaxial Type (PCT Process) HN3B02FU Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit: mmQ1 High voltage : VCEO = -50V High current : I = -150mA (max) C High h : h = 120~400 FE FE Excellent h linearity : h (I = -0.1mA) / (I = -2mA) = 0.95 FE FE C C(typ.) Q2 High voltage : V = 60V CEO Hi

 9.1. Size:265K  toshiba
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HN3B02FU

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History: 3CG844

 

 
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