Биполярный транзистор HN3B02FU - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HN3B02FU
Маркировка: 5B
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: US6
HN3B02FU Datasheet (PDF)
..1. Size:84K toshiba
hn3b02fu.pdf
hn3b02fu.pdf
HN3B02FU TENTATIVE TOSHIBA Transistor Silicon PNPNPN Epitaxial Type (PCT Process) HN3B02FU Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit: mmQ1 High voltage : VCEO = -50V High current : I = -150mA (max) C High h : h = 120~400 FE FE Excellent h linearity : h (I = -0.1mA) / (I = -2mA) = 0.95 FE FE C C(typ.) Q2 High voltage : V = 60V CEO Hi
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050