HN3C51F Todos los transistores

 

HN3C51F . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HN3C51F
   Código: DG_DL
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SM6

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HN3C51F Datasheet (PDF)

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HN3C51F HN3C51F

HN3C51F TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN3C51F Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications High voltage : VCEO = 120V High hFE : hFE = 200~700 Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-base vo

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HN3C51F HN3C51F

HN3C56FU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN3C56FU Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current : VCEO = 50V, IC = 150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1mA) / (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1,

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