HN3C51F Todos los transistores

 

HN3C51F . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HN3C51F
   Código: DG_DL
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SM6
 

 Búsqueda de reemplazo de HN3C51F

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HN3C51F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:289K  toshiba
 hn3c51f.pdf pdf_icon

HN3C51F

HN3C51F TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN3C51F Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications High voltage : VCEO = 120V High hFE : hFE = 200~700 Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-base vo

 9.1. Size:194K  toshiba
 hn3c56fu.pdf pdf_icon

HN3C51F

HN3C56FU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN3C56FU Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current : VCEO = 50V, IC = 150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1mA) / (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1,

Otros transistores... HN2A26FS , HN2C01FE , HN2C01FU , HN2C26FS , HN3A51F , HN3A56F , HN3B01F , HN3B02FU , TIP31C , HN3C56FU , HN3C61FU , HN3C67FE , HN4A06J , HN4A08J , HN4A51J , HN4A56JU , HN4B01JE .

History: DTA143ZMFHA | BFY48R | 2SB826Q | BFT44S | HN1C01FE | BFY48BK

 

 
Back to Top

 


 
.