Справочник транзисторов. HN3C51F

 

Биполярный транзистор HN3C51F Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HN3C51F
   Маркировка: DG_DL
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SM6
 

 Аналог (замена) для HN3C51F

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN3C51F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:289K  toshiba
 hn3c51f.pdf pdf_icon

HN3C51F

HN3C51F TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN3C51F Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications High voltage : VCEO = 120V High hFE : hFE = 200~700 Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-base vo

 9.1. Size:194K  toshiba
 hn3c56fu.pdf pdf_icon

HN3C51F

HN3C56FU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN3C56FU Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current : VCEO = 50V, IC = 150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1mA) / (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1,

Другие транзисторы... HN2A26FS , HN2C01FE , HN2C01FU , HN2C26FS , HN3A51F , HN3A56F , HN3B01F , HN3B02FU , TIP31C , HN3C56FU , HN3C61FU , HN3C67FE , HN4A06J , HN4A08J , HN4A51J , HN4A56JU , HN4B01JE .

History: MA8002 | NB221H | DT600-500 | CXT3150

 

 
Back to Top

 


 
.