HN3C51F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HN3C51F

Маркировка: DG_DL

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SM6

 Аналоги (замена) для HN3C51F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN3C51F даташит

 ..1. Size:289K  toshiba
 hn3c51f.pdf pdf_icon

HN3C51F

HN3C51F TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN3C51F Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications High voltage VCEO = 120V High hFE hFE = 200 700 Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-base vo

 9.1. Size:194K  toshiba
 hn3c56fu.pdf pdf_icon

HN3C51F

HN3C56FU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN3C56FU Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current VCEO = 50V, IC = 150mA (max) High hFE hFE = 120 400 Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1mA) / (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1,

Другие транзисторы: HN2A26FS, HN2C01FE, HN2C01FU, HN2C26FS, HN3A51F, HN3A56F, HN3B01F, HN3B02FU, A733, HN3C56FU, HN3C61FU, HN3C67FE, HN4A06J, HN4A08J, HN4A51J, HN4A56JU, HN4B01JE