HN3C61FU Todos los transistores

 

HN3C61FU . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HN3C61FU
   Código: 39
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: US6
 

 Búsqueda de reemplazo de HN3C61FU

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HN3C61FU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:194K  toshiba
hn3c61fu.pdf pdf_icon

HN3C61FU

HN3C61FU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN3C61FU Unit: mmUltra High Speed Switching Application Computer, Counter Applications. High Transition Frequency : fT = 400MHz(Typ.) : VCE(sat) = 0.3V(Max.) Low Saturation Voltage High Speed Switching Time : tstg = 15ns(Typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symb

 9.1. Size:195K  toshiba
hn3c67fe.pdf pdf_icon

HN3C61FU

HN3C67FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN3C67FE Unit: mmAudio Frequency Amplifier Applications AM Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current : VCEO = 50V, IC = 150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1mA) / (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: KT3129V9 | 2SD406 | AD130-5 | BSX77 | BC848S | U2T301 | 2N4275

 

 
Back to Top

 


 
.