HN3C61FU Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HN3C61FU

Código: 39

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: US6

 Búsqueda de reemplazo de HN3C61FU

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HN3C61FU datasheet

 ..1. Size:194K  toshiba
 hn3c61fu.pdf pdf_icon

HN3C61FU

HN3C61FU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN3C61FU Unit mm Ultra High Speed Switching Application Computer, Counter Applications. High Transition Frequency fT = 400MHz(Typ.) VCE(sat) = 0.3V(Max.) Low Saturation Voltage High Speed Switching Time tstg = 15ns(Typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symb

 9.1. Size:195K  toshiba
 hn3c67fe.pdf pdf_icon

HN3C61FU

HN3C67FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN3C67FE Unit mm Audio Frequency Amplifier Applications AM Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current VCEO = 50V, IC = 150mA (max) High hFE hFE = 120 400 Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1mA) / (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)

Otros transistores... HN2C01FU, HN2C26FS, HN3A51F, HN3A56F, HN3B01F, HN3B02FU, HN3C51F, HN3C56FU, 2SC4793, HN3C67FE, HN4A06J, HN4A08J, HN4A51J, HN4A56JU, HN4B01JE, HN4B04J, HN4B06J