Справочник транзисторов. HN3C61FU

 

Биполярный транзистор HN3C61FU Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HN3C61FU
   Маркировка: 39
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: US6
 

 Аналог (замена) для HN3C61FU

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN3C61FU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:194K  toshiba
 hn3c61fu.pdf pdf_icon

HN3C61FU

HN3C61FU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN3C61FU Unit: mmUltra High Speed Switching Application Computer, Counter Applications. High Transition Frequency : fT = 400MHz(Typ.) : VCE(sat) = 0.3V(Max.) Low Saturation Voltage High Speed Switching Time : tstg = 15ns(Typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symb

 9.1. Size:195K  toshiba
 hn3c67fe.pdf pdf_icon

HN3C61FU

HN3C67FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN3C67FE Unit: mmAudio Frequency Amplifier Applications AM Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current : VCEO = 50V, IC = 150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1mA) / (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)

Другие транзисторы... HN2C01FU , HN2C26FS , HN3A51F , HN3A56F , HN3B01F , HN3B02FU , HN3C51F , HN3C56FU , MJE340 , HN3C67FE , HN4A06J , HN4A08J , HN4A51J , HN4A56JU , HN4B01JE , HN4B04J , HN4B06J .

History: INC5001AC1 | 2SD677 | KSC2785G

 

 
Back to Top

 


 
.