HN3C61FU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HN3C61FU

Маркировка: 39

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: US6

 Аналоги (замена) для HN3C61FU

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN3C61FU даташит

 ..1. Size:194K  toshiba
 hn3c61fu.pdf pdf_icon

HN3C61FU

HN3C61FU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN3C61FU Unit mm Ultra High Speed Switching Application Computer, Counter Applications. High Transition Frequency fT = 400MHz(Typ.) VCE(sat) = 0.3V(Max.) Low Saturation Voltage High Speed Switching Time tstg = 15ns(Typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symb

 9.1. Size:195K  toshiba
 hn3c67fe.pdf pdf_icon

HN3C61FU

HN3C67FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN3C67FE Unit mm Audio Frequency Amplifier Applications AM Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current VCEO = 50V, IC = 150mA (max) High hFE hFE = 120 400 Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1mA) / (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)

Другие транзисторы: HN2C01FU, HN2C26FS, HN3A51F, HN3A56F, HN3B01F, HN3B02FU, HN3C51F, HN3C56FU, 2SC4793, HN3C67FE, HN4A06J, HN4A08J, HN4A51J, HN4A56JU, HN4B01JE, HN4B04J, HN4B06J