HN4A51J Todos los transistores

 

HN4A51J . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HN4A51J
   Código: 34
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SMV
 

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HN4A51J Datasheet (PDF)

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HN4A51J

HN4A51J TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN4A51J Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit: mm High voltage : VCEO = -120V High hFE : hFE = 200~700 Excellent hFE linearity : hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Low noise: NF = 1dB (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Sym

 9.1. Size:188K  toshiba
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HN4A51J

HN4A56JU TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN4A56JU Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small Package (Dual Type) High Voltage and High Current : VCEO= -50V, IC = -150mA(MAX.) High hFE Excellent hFE Linearity : hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common

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