HN4A51J Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HN4A51J

Código: 34

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SMV

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HN4A51J datasheet

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HN4A51J

HN4A51J TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN4A51J Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit mm High voltage VCEO = -120V High hFE hFE = 200 700 Excellent hFE linearity hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Low noise NF = 1dB (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Sym

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HN4A51J

HN4A56JU TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN4A56JU Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small Package (Dual Type) High Voltage and High Current VCEO= -50V, IC = -150mA(MAX.) High hFE Excellent hFE Linearity hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common

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