HN4A51J. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HN4A51J

Маркировка: 34

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SMV

 Аналоги (замена) для HN4A51J

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN4A51J даташит

 ..1. Size:306K  toshiba
 hn4a51j.pdf pdf_icon

HN4A51J

HN4A51J TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN4A51J Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit mm High voltage VCEO = -120V High hFE hFE = 200 700 Excellent hFE linearity hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Low noise NF = 1dB (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Sym

 9.1. Size:188K  toshiba
 hn4a56ju.pdf pdf_icon

HN4A51J

HN4A56JU TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN4A56JU Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small Package (Dual Type) High Voltage and High Current VCEO= -50V, IC = -150mA(MAX.) High hFE Excellent hFE Linearity hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common

Другие транзисторы: HN3B01F, HN3B02FU, HN3C51F, HN3C56FU, HN3C61FU, HN3C67FE, HN4A06J, HN4A08J, A940, HN4A56JU, HN4B01JE, HN4B04J, HN4B06J, HN4C05JU, HN4C06J, HN4C08J, HN4C51J