Справочник транзисторов. HN4A51J

 

Биполярный транзистор HN4A51J Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HN4A51J
   Маркировка: 34
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SMV
 

 Аналог (замена) для HN4A51J

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN4A51J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:306K  toshiba
 hn4a51j.pdf pdf_icon

HN4A51J

HN4A51J TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN4A51J Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit: mm High voltage : VCEO = -120V High hFE : hFE = 200~700 Excellent hFE linearity : hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Low noise: NF = 1dB (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Sym

 9.1. Size:188K  toshiba
 hn4a56ju.pdf pdf_icon

HN4A51J

HN4A56JU TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN4A56JU Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small Package (Dual Type) High Voltage and High Current : VCEO= -50V, IC = -150mA(MAX.) High hFE Excellent hFE Linearity : hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common

Другие транзисторы... HN3B01F , HN3B02FU , HN3C51F , HN3C56FU , HN3C61FU , HN3C67FE , HN4A06J , HN4A08J , B772 , HN4A56JU , HN4B01JE , HN4B04J , HN4B06J , HN4C05JU , HN4C06J , HN4C08J , HN4C51J .

History: BCP627C | 2SD479 | DMG96401 | UNR9218J | DTA123TM3 | NB221FI | BCX74-25

 

 
Back to Top

 


 
.