HN4B01JE . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HN4B01JE
   Código: 52
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: ESV

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar HN4B01JE

HN4B01JE Datasheet (PDF)

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hn4b01je.pdf

HN4B01JE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN4B01JE Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Q1: High voltage and high current : VCEO = 50V, IC = 150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Q2: High voltage and

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HN4B04J TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4B04J Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications Switching application Q1: Excellent hFE linearity : hFE(2) =25 (Min.) at VCE = -6V IC = -400mA Q2: Excellent hFE linearity : hFE(2) =25 (Min.) at VCE = 6V

9.2. Size:493K toshiba
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HN4B06J TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4B06J Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Q1: High voltage : VCEO = -120V High hFE : hFE = 200~700 Excellent hFE linearity : hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC =- 2mA) = 0.95 (typ.) Q2: High voltage : VCEO = 120V High hFE : hFE = 200~7

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS