HN4B01JE Todos los transistores

 

HN4B01JE . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HN4B01JE
   Código: 52
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: ESV
 

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HN4B01JE Datasheet (PDF)

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HN4B01JE

HN4B01JE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN4B01JE Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Q1: High voltage and high current : VCEO = 50V, IC = 150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Q2: High voltage and

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HN4B01JE

HN4B04J TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4B04J Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications Switching application Q1: Excellent hFE linearity : hFE(2) =25 (Min.) at VCE = -6V IC = -400mA Q2: Excellent hFE linearity : hFE(2) =25 (Min.) at VCE = 6V

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HN4B01JE

HN4B06J TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4B06J Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Q1: High voltage : VCEO = -120V High hFE : hFE = 200~700 Excellent hFE linearity : hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC =- 2mA) = 0.95 (typ.) Q2: High voltage : VCEO = 120V High hFE : hFE = 200~7

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History: KSH3055 | DT5335 | CSA968AO | BUV98A

 

 
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