Справочник транзисторов. HN4B01JE

 

Биполярный транзистор HN4B01JE Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HN4B01JE
   Маркировка: 52
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: ESV
 

 Аналог (замена) для HN4B01JE

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN4B01JE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  toshiba
 hn4b01je.pdf pdf_icon

HN4B01JE

HN4B01JE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN4B01JE Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Q1: High voltage and high current : VCEO = 50V, IC = 150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Q2: High voltage and

 9.1. Size:248K  toshiba
 hn4b04j.pdf pdf_icon

HN4B01JE

HN4B04J TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4B04J Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications Switching application Q1: Excellent hFE linearity : hFE(2) =25 (Min.) at VCE = -6V IC = -400mA Q2: Excellent hFE linearity : hFE(2) =25 (Min.) at VCE = 6V

 9.2. Size:493K  toshiba
 hn4b06j.pdf pdf_icon

HN4B01JE

HN4B06J TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4B06J Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Q1: High voltage : VCEO = -120V High hFE : hFE = 200~700 Excellent hFE linearity : hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC =- 2mA) = 0.95 (typ.) Q2: High voltage : VCEO = 120V High hFE : hFE = 200~7

Другие транзисторы... HN3C51F , HN3C56FU , HN3C61FU , HN3C67FE , HN4A06J , HN4A08J , HN4A51J , HN4A56JU , BC546 , HN4B04J , HN4B06J , HN4C05JU , HN4C06J , HN4C08J , HN4C51J , RN1101ACT , RN1101CT .

History: UMT1008 | MCH4017 | 2SC5418 | 2SD1818

 

 
Back to Top

 


 
.