HN4B01JE. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: HN4B01JE
Маркировка: 52
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120
Корпус транзистора: ESV
Аналоги (замена) для HN4B01JE
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
HN4B01JE даташит
hn4b01je.pdf
HN4B01JE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN4B01JE Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Q1 High voltage and high current VCEO = 50V, IC = 150mA (max) High hFE hFE = 120 400 Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Q2 High voltage and
hn4b04j.pdf
HN4B04J TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4B04J Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications Switching application Q1 Excellent hFE linearity hFE(2) =25 (Min.) at VCE = -6V IC = -400mA Q2 Excellent hFE linearity hFE(2) =25 (Min.) at VCE = 6V
hn4b06j.pdf
HN4B06J TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4B06J Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Q1 High voltage VCEO = -120V High hFE hFE = 200 700 Excellent hFE linearity hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC =- 2mA) = 0.95 (typ.) Q2 High voltage VCEO = 120V High hFE hFE = 200 7
Другие транзисторы: HN3C51F, HN3C56FU, HN3C61FU, HN3C67FE, HN4A06J, HN4A08J, HN4A51J, HN4A56JU, 2SA1837, HN4B04J, HN4B06J, HN4C05JU, HN4C06J, HN4C08J, HN4C51J, RN1101ACT, RN1101CT
History: DTC014TUB | 2SC524R | DTA143TKAFRA | HN3C67FE | DTA143TM3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent



