HN4C06J Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HN4C06J

Código: DG

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SMV

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HN4C06J datasheet

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HN4C06J

HN4C06J TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4C06J Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit mm High voltage VCEO = 120V High hFE hFE = 200 700 Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Low noise NF = 1dB(typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol

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HN4C06J

HN4C08J TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4C08J Unit mm Low Frequency Power Amplifer Applications Power Switching Application High DC Current Gain hFE = 100 320 Low Saturation Voltage VCE(sat)=0.4V (Max.) (IC = 500mA , IB = 20mA) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-base vol

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HN4C06J

HN4C05JU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4C05JU Low Frequency Amplifier Applications Unit mm Muting Applications Switching Applications Low Saturation Voltage VCE(sat)(1)=15mV (Typ.) @ IC = 10mA/ IB = 0.5mA) High Collector Current IC=400mA(Max.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating Unit Co

Otros transistores... HN4A06J, HN4A08J, HN4A51J, HN4A56JU, HN4B01JE, HN4B04J, HN4B06J, HN4C05JU, 8050, HN4C08J, HN4C51J, RN1101ACT, RN1101CT, RN1101FS, RN1101MFV, RN1101, RN1102ACT