HN4C06J. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HN4C06J

Маркировка: DG

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SMV

 Аналоги (замена) для HN4C06J

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN4C06J даташит

 ..1. Size:293K  toshiba
 hn4c06j.pdf pdf_icon

HN4C06J

HN4C06J TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4C06J Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit mm High voltage VCEO = 120V High hFE hFE = 200 700 Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Low noise NF = 1dB(typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol

 9.1. Size:155K  toshiba
 hn4c08j.pdf pdf_icon

HN4C06J

HN4C08J TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4C08J Unit mm Low Frequency Power Amplifer Applications Power Switching Application High DC Current Gain hFE = 100 320 Low Saturation Voltage VCE(sat)=0.4V (Max.) (IC = 500mA , IB = 20mA) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-base vol

 9.2. Size:315K  toshiba
 hn4c05ju.pdf pdf_icon

HN4C06J

HN4C05JU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4C05JU Low Frequency Amplifier Applications Unit mm Muting Applications Switching Applications Low Saturation Voltage VCE(sat)(1)=15mV (Typ.) @ IC = 10mA/ IB = 0.5mA) High Collector Current IC=400mA(Max.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating Unit Co

Другие транзисторы: HN4A06J, HN4A08J, HN4A51J, HN4A56JU, HN4B01JE, HN4B04J, HN4B06J, HN4C05JU, 8050, HN4C08J, HN4C51J, RN1101ACT, RN1101CT, RN1101FS, RN1101MFV, RN1101, RN1102ACT