HN4C08J . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HN4C08J
Código: 35
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 13 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SMV
- Selección de transistores por parámetros
HN4C08J Datasheet (PDF)
hn4c08j.pdf

HN4C08J TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4C08J Unit: mmLow Frequency Power Amplifer Applications Power Switching Application High DC Current Gain : hFE = 100~320 Low Saturation Voltage : VCE(sat)=0.4V (Max.) : (IC = 500mA , IB = 20mA) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-base vol
hn4c06j.pdf

HN4C06J TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4C06J Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit: mm High voltage : VCEO = 120V High hFE : hFE = 200~700 Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Low noise : NF = 1dB(typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol
hn4c05ju.pdf

HN4C05JU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4C05JU Low Frequency Amplifier Applications Unit: mmMuting Applications Switching Applications Low Saturation Voltage : VCE(sat)(1)=15mV (Typ.) :@ IC = 10mA/ IB = 0.5mA) High Collector Current :IC=400mA(Max.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating UnitCo
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History: 2N756 | 2SA950-O | 2SB736AR | 2N6653-2 | 2N3927 | BCW31LT3 | IMT1A
History: 2N756 | 2SA950-O | 2SB736AR | 2N6653-2 | 2N3927 | BCW31LT3 | IMT1A



Liste
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