Биполярный транзистор HN4C08J - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HN4C08J
Маркировка: 35
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SMV
HN4C08J Datasheet (PDF)
hn4c08j.pdf
HN4C08J TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4C08J Unit: mmLow Frequency Power Amplifer Applications Power Switching Application High DC Current Gain : hFE = 100~320 Low Saturation Voltage : VCE(sat)=0.4V (Max.) : (IC = 500mA , IB = 20mA) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-base vol
hn4c06j.pdf
HN4C06J TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4C06J Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit: mm High voltage : VCEO = 120V High hFE : hFE = 200~700 Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Low noise : NF = 1dB(typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol
hn4c05ju.pdf
HN4C05JU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4C05JU Low Frequency Amplifier Applications Unit: mmMuting Applications Switching Applications Low Saturation Voltage : VCE(sat)(1)=15mV (Typ.) :@ IC = 10mA/ IB = 0.5mA) High Collector Current :IC=400mA(Max.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating UnitCo
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050