HN4C51J . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HN4C51J
Código: 33
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 120 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
Paquete / Cubierta: SMV
- Selección de transistores por parámetros
HN4C51J Datasheet (PDF)
hn4c51j.pdf

HN4C51J TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4C51J Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit: mm High voltage : VCEO = 120V High hFE : hFE = 200~700 Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Low noise : NF = 1dB(typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SB1690K | DTC143ZET1G | 2SC1608 | AF101 | BFQ268 | A747A | LBC548C
History: 2SB1690K | DTC143ZET1G | 2SC1608 | AF101 | BFQ268 | A747A | LBC548C



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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