HN4C51J. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HN4C51J

Маркировка: 33

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SMV

 Аналоги (замена) для HN4C51J

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN4C51J даташит

 ..1. Size:293K  toshiba
 hn4c51j.pdf pdf_icon

HN4C51J

HN4C51J TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4C51J Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit mm High voltage VCEO = 120V High hFE hFE = 200 700 Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Low noise NF = 1dB(typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol

Другие транзисторы: HN4A51J, HN4A56JU, HN4B01JE, HN4B04J, HN4B06J, HN4C05JU, HN4C06J, HN4C08J, TIP31, RN1101ACT, RN1101CT, RN1101FS, RN1101MFV, RN1101, RN1102ACT, RN1102CT, RN1102FS