Справочник транзисторов. HN4C51J

 

Биполярный транзистор HN4C51J Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HN4C51J
   Маркировка: 33
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SMV
 

 Аналог (замена) для HN4C51J

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN4C51J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:293K  toshiba
 hn4c51j.pdf pdf_icon

HN4C51J

HN4C51J TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4C51J Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit: mm High voltage : VCEO = 120V High hFE : hFE = 200~700 Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Low noise : NF = 1dB(typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol

Другие транзисторы... HN4A51J , HN4A56JU , HN4B01JE , HN4B04J , HN4B06J , HN4C05JU , HN4C06J , HN4C08J , 2SD2499 , RN1101ACT , RN1101CT , RN1101FS , RN1101MFV , RN1101 , RN1102ACT , RN1102CT , RN1102FS .

History: BC848CLT1G | DTA144EM3T5G | 2SD1353

 

 
Back to Top

 


 
.