2N1170 Todos los transistores

2N1170 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N1170

Material: Ge

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 40 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO5

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros