2N1170 Todos los transistores

 

2N1170 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N1170
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 40 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO5

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N1170

 

2N1170 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  rca
2n1170.pdf

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 9.1. Size:392K  rca
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 9.3. Size:212K  rca
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